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Die TrenchFET MOSFET-Technologie ermöglicht einen sehr niedrigen Widerstand bei der Leitung des C4-Schalters und einen geringen Energieverlust. Die Schaltgeschwindigkeit des C4-Schalters ist etwas niedriger als der typische Leistungs-FET-Schalter, aber viel höher als die Geschwindigkeit des IGBT-Schalters; Im Vergleich zum negativen Temperaturkoeffizienten des IGBT-Schalters trägt der positive Temperaturkoeffizient des C4-Schalters dazu bei, das Design des Kurzschlussschutzes zu erreichen; Darüber hinaus ist die Gefahr des C4-Schalters in Bezug auf den Überspannungszeitraum und den umgekehrten Spannungsstrom geringer als der IGBT-Schalter, so dass der C4-Schalter ideal ist, um IGBT-Schalter zu ersetzen und die Betriebssicherheit auch unter schlechten Bedingungen zu gewährleisten.