SiC Hochspannungsschalter

Der SiC-Hochspannungsschalter besteht aus einem Siliziumcarbid-MOSFET. Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumfeldeffekttransistoren können Hochspannungsschalter die Impedanz bei der Leitung erheblich reduzieren, die inhärente Kapazität des Schalters erheblich reduzieren und eine höhere Schaltfrequenz und eine bessere Wärmeabkühlungskapazität erreichen.

• Im Vergleich zu herkömmlichen Hochdruckschaltern mit Siliziumfeldeffektrohren kann der Leitimpedance um etwa 90% erheblich reduziert werden.
• Im Vergleich zu herkömmlichen Hochspannungsschaltern mit Siliziumfeldeffektrohren reduziert sich die inhärente Kapazität um etwa 30 bis 50 Prozent.
• Starke Reduzierung statischer Leitungsverluste und dynamischer Schaltverluste
• Schnelle endogene Dioden machen externe Schutzdioden für die meisten Anwendungen nicht mehr erforderlich
• Höhere Spitzenstromleistung und bessere Kurzschlusstoleranz