Gleichstromtransmitter HFDV-T2 Doppel-Stromversorgung

Der Gleichstromtransmitter HFDV-T2 Dual Power verwendet die elektromagnetische Isolationstechnologie, um Eingänge, Ausgänge und Stromversorgung zu isolieren, um die Isolationssignalübertragung von Feldgeräten und Steuerungssystemen zu erreichen, die Isolationsschnittstelleneinheit von Feldgeräten und Steuerraumausrüstungen ist; Die Isolationstechnologie isoliert das Eingangs- und Ausgangssignal vollständig elektrisch, verbessert die Störungsbeständigkeit und Zuverlässigkeit des elektronischen Systems erheblich und verfügt über eine strenge Isolationsfähigkeit.

Der Gleichstromtransmitter HFDV-T2 Dual Power verwendet die elektromagnetische Isolationstechnologie, um Eingänge, Ausgänge und Stromversorgung zu isolieren, um die Isolationssignalübertragung von Feldgeräten und Steuerungssystemen zu erreichen, die Isolationsschnittstelleneinheit von Feldgeräten und Steuerraumausrüstungen ist; Die Isolationstechnologie isoliert das Eingangs- und Ausgangssignal vollständig elektrisch, verbessert die Störungsbeständigkeit und Zuverlässigkeit des elektronischen Systems erheblich und verfügt über eine strenge Isolationsfähigkeit.

Gleichstromtransmitter HFDV-T2 Doppel-Stromversorgung

Hohe Genauigkeit (typisch: 0,2% am besten: 0,05%)
Schnelle Reaktion, gute Dynamik
Der gesamte Messbereich hat eine sehr hohe Linearität.
Hoher Grad an Integration, einfache Struktur und keine regelmäßigen Kontrollen
Eingang, Ausgang, Stromversorgung hohe Isolation
35 mm Führungsbahn oder Schraubenmontage möglich

Technische Indikatoren für Gleichstromtransmitter HFDV-T2 Dual Power
Eingangsparameter: Typ: Gleichstromspannung
Messbereich: 0-5V AC
Ausgangsparameter: Stromausgang: 4-20mA DC
Zulassende Last: Spannung: ≥2KΩ,
Strom: ≤250Ω

Grundparameter des Gleichstromtransmitters HFDV-T2 Dual Power:
Genauigkeit: 0,2 Grad
Stromversorgung: ± 12V DC ± 5% Rippenkoeffizient unter 10% P-P
Stromverbrauch: ≤0.5w
Arbeitsfrequenz: 2,5 KV AC-Leckstrom 0,5 mA 1 Minute
Stromveränderungsbereich: ≤10%
Stromversorgungsänderungen: ≤0,1% RO
Ausgangsbelastung: ≤0,05% RO
Reaktionszeit: ≤350ms
Isolierungswiderstand: ≥100MΩ, 500VDC
Arbeitsumgebung: Temperatur: (-10 ~ + 50) ℃;
Feuchtigkeit: (10-90)% RH (ohne Kondensation)
Lagerbedingungen: Temperatur: (-40 ~ 70) ℃
Luftfeuchtigkeit: (10-95)%RH